在芯片的纳米世界里，一颗微小的尘埃都如同陨石，一丝金属污染都足以导致整颗芯片失效。为了实现极致的纯净，半导体工厂依赖一套精密的“化学洗澡”工艺。其中，APM、SPM和49%HF 是三位不可或缺的“清洁大师”，它们各司其职，共同为硅片扫清前进道路上的每一个障碍。

一、APM：颗粒污染的“剥离专家”

1. 组成成分
APM，全称为 Ammonium Hydroxide–Hydrogen Peroxide Mixture（氨水-过氧化氢混合物），在业界更广为人知的名字是 SC-1（Standard Clean-1）。它的典型配比为：
NH₄OH : H₂O₂ : H₂O = 1 : 1 : 5 至 1 : 2 : 7
（即氨水:双氧水:超纯水）

2. 作用原理与制程应用
APM的核心任务是 去除硅片表面的颗粒污染 和 微量有机污染物。它的工作原理非常巧妙：

微刻蚀与再氧化：微量的氨水会轻微地、各向同性地刻蚀硅表面，同时双氧水将裸露的硅瞬间氧化成SiO₂。这个“刻蚀-氧化”的循环过程，会松动并让附着在表面的颗粒“浮”起来。
电学排斥：APM溶液具有较高的pH值（碱性），能使硅片表面和颗粒表面带上相同的负电荷。根据库仑定律，“同性相斥”，颗粒在静电排斥力下被推离硅片表面。

主要应用场景：
前端制程清洗：在栅极氧化、薄膜沉积等关键步骤前，必须使用APM进行清洗，确保界面无颗粒。
图形化后清洗：在化学机械抛光（CMP）后，用于去除抛光料颗粒和有机物残留。

二、SPM：有机物与金属的“强效溶解剂”

1. 组成成分
SPM，全称为 Sulfuric Acid–Hydrogen Peroxide Mixture（硫酸-过氧化氢混合物）。它的典型配比为：
H₂SO₄ : H₂O₂ = 3 : 1 至 4 : 1
（即硫酸:双氧水）

2. 作用原理与制程应用
SPM是清洗方案中最为“暴力”的一环，主要负责 去除顽固的有机残留物（如光刻胶）和 部分金属污染物。

强氧化与脱水：浓硫酸具有极强的脱水性，能有效地将有机物中的氢和氧以水的形式“抽取”出来，使其碳化。同时，双氧水在高温下（通常加热到120°C以上）分解产生大量具有强氧化性的氧原子，能将碳化的有机物彻底氧化成二氧化碳和水。

主要应用场景：
光刻胶去除：在离子注入或刻蚀工艺后，硅片表面会残留坚硬的光刻胶，SPM是去除它们的最有效方法之一。
重金属清洗：能有效去除如铁、铬等金属污染物。
极度污染后的初始清洗：作为清洗序列的第一步，为后续的精细清洗做准备。