为什么芯片要越来越薄，有什么方法能将晶圆减到超薄？常见几个厚度概念（以 8"/12" 为例）：
常规晶圆：600–775 μm
薄晶圆：150–200 μm
超薄晶圆：100 μm 以下
极薄晶圆：50 μm、30 μm、甚至 10–20 μm
1，DBG工艺（Dicing Before Grinding）把晶圆切到一半，但不切穿，让每颗 die 形状先定下来；背面仍然保持连接，晶圆整体性依旧存在。然后将晶圆背面开始磨薄，逐渐把未切透的硅磨掉，最后薄薄的一层硅被磨穿。详见之前的文章：临时键合就是把晶圆贴在一片“临时的骨架”上，让 wafer 从一个薄得像玻璃纸的脆片，变成一片可搬运、可加工的正常晶圆。它支撑 wafer，保护正面结构，抵抗热应力，让晶圆能薄到几十微米，还能做 TSV、电镀、键合等激烈工艺，是现代 3D 封装最关键的基础技术之一。
