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为什么离子注入后需要RTP？ 当掺杂离子（如硼、磷）轰击硅片时，99%的原子处于未激活状态：
卡在晶格缝隙（间隙位），无法贡献自由电子或空穴；
砸碎周围晶格，形成缺陷区导致漏电。
传统炉管退火的困境：
需在1000℃维持30分钟激活原子，但高温下掺杂原子会扩散漂移；
在28nm工艺中，硼原子扩散距离达50nm，远超晶体管栅极长度（35nm），导致电路失效。
RTP如何实现“瞬间激活零扩散”？ RTP的核心创新在于：
机械臂将硅片送入石英腔（氧含量<1ppm）；
氩气环境中预热至400℃。
灯管/激光在极短时间内将硅片表面加热至目标温度；
掺杂原子获能跃迁至晶格节点；
热量尚未传导至深层便已结束，原子扩散被“冻结”。
切断电源后降温至600℃；
氦气喷射冷却至室温，全程<30秒。
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