随着晶体管尺寸进入纳米级，传统硅基器件的性能面临物理极限，包括量子隧穿效应导致漏电流激增，栅介质变薄引发迁移率退化，以及短沟道效应加剧。应变硅技术通过对沟道施加机械应力改变硅晶格结构，从而优化载流子迁移率，成为延续摩尔定律的关键手段。

PMOS与NMOS的材料选择：SiGe与SiC

为了分别满足PMOS（空穴导电）和NMOS（电子导电）的需求，需采用不同材料引入特定应力：

• PMOS：SiGe（锗硅合金）引入压应力

  
  

• 锗（Ge）的晶格常数比硅大4.2%。当PMOS的源漏区替换为SiGe时，其晶格膨胀会挤压沟道硅层，产生压应力，使空穴迁移率提升50%以上。在20 nm节点中，SiGe中锗含量达55%，通过优化外延层位置（如将SiGe晶体边缘靠近沟道）进一步增强应力。
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• NMOS：SiC（碳化硅）或掺碳/磷硅引入张应力

  
  

  碳（C）的晶格常数比硅小38%。在NMOS源漏区引入掺碳硅外延层（如Si:C或Si:C/P），可拉伸沟道晶格，产生张应力，使电子迁移率提升20%。需平衡材料稳定性与应力强度。例如，碳掺杂需精确控制浓度以避免晶格缺陷。
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应变引入的核心方法

• 选择性外延替换源漏区

• 刻蚀原有源漏区→外延生长SiGe（PMOS）或Si:C（NMOS）→退火激活掺杂原子。
  
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• 应力记忆技术（Stress Memorization Technique, SMT）

• 通过掩膜边缘位错诱导张应力。例如，在45/32 nm节点中，采用预非晶化离子注入（PAI）+氮化硅应力覆盖层，退火后形成位错，提升NMOS短沟道迁移率10%。
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