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干法刻蚀后为什么要清洗?
干法刻蚀后为什么要清洗?
2025年02月11日 16:10 浏览:91 来源:小萍子
用于铜互联的大马士革工艺,在刻蚀介质后为什么要用清洗液清洗,主要是洗去什么物质?
双大马士革工艺的步骤?
芯片的后段支撑主要是铜互联,而铜互联一般是用双大马士革工艺来做,下图是双大马士革工艺的流程图:
其中在步骤A,C均会有低k介质刻蚀的步骤。
双大马士革工艺刻蚀步骤后的副产物?
28nm工艺节点之前与之后的副产物不太相同,因为28nm以内的节点,为了保证刻蚀的准确性引入了TiN硬掩模。
没有引入TiN时,副产物为
[SiF
m
O
2-m/2
]
n,
[CuO
m/2
X
2-m
]
n
,
CuO
引入
T
iN硬掩模后,副产物为
[TiN
m
X
4-4m
]
n
,
[SiF
m
O
2-m/2
]
n,
[CuO
m/2
X
2-m
]
n
,
CuO
如图:
这些副产物在刻蚀后会附着在沟槽内,造成后续的工艺问题,因此需要清洗干净。
清洗注意事项?
由于清洗液一般是酸,碱或加入有氧化剂,会对金属有腐蚀,因此应保证选用的清洗液对Cu、SiON、TEOS,W等腐蚀最小,对TiN,光刻胶等去除速率最大。
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