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为什么热氧化工艺一般要掺氯?
为什么热氧化工艺一般要掺氯?
2024年07月13日 13:52 浏览:114 来源:小萍子
热氧化工艺用的是DCE+湿氧,请问DCE是什么物质,有什么作用?
什么是热氧化工艺?
热氧化工艺是在半导体制造过程中用于在晶圆表面生成氧化硅(SiO₂)层,分为湿氧与干氧,主要在芯片制程中用来做绝缘层如栅氧化层,场氧化层,STI隔离层,或保护钝化层等。
DCE是什么?
DCE指反式,1,2-二氯乙烯,含氯有机化合物,化学式为C2H4Cl2,是热氧化掺氯工艺中提供氯元素的物质。
除了DCE,早期还有
氯气,
三氯乙烯
(TCE
),
1,1,1
三氯乙烷
(TCA
)
,HCl等均可作为掺氯物质。但是
TCE
是致癌物质已不再使用,
TCA
会对臭氧造成破坏,因此用HCl与DCE作为掺氯物质使用较多。
热氧化工艺掺氯有什么作用?
1,增强氧化速度,
能使氧化速率提升
10%~15%
。
2,
钝化可动离子,特别是
Na+,K+,钠,钾离子在电场作用下移动到硅片表面,影响电学特性,导致器件不稳定。而掺氯可固定可动离子,避免其移动。
3,中和Si-SiO2界面处电荷,减少氧化层缺陷。
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