从测试作业的精细程度和作业用人数量看，晶圆测试（CP）属于“晶圆级”工艺，数千颗甚至数万颗裸芯片高度集成于一张晶圆上，对测试作业的洁净等级、作业的精细程度、大数据的分析能力等要求较高，因此技术实力较强的测试厂商通过精益生产能够实现更好的效益，拉开与其他对手的差距。

图：CP和FT测试流程

而芯片成品测试（FT）属于“芯片级”工艺，芯片成品完成封装之后，处于良好的保护状态，物理尺寸体积也较晶圆状态的裸芯片增加几倍至数十倍，因此芯片成品测试对洁净等级和作业精细程度的要求较晶圆测试低一个级别，测试作业工作量和人员用工量也更大。

从具体的测试工艺难点看，两者拥有不同的技术难点和挑战。在晶圆测试方面，受探针卡自身物理结构和电特性的限制，晶圆测试更容易受到干扰，高速信号的信号完整性控制的难度较高不好，在测试方案开发和量产测试过程中需要更精密的治具硬件和更高要求的环境条件，因此，晶圆测试需要高效率的测试，其测试项目以直流测试、低速功能测试为主，追求极致的高同测，难点为在方案设计时需尽可能提高同测数、提高并测效率、保证一致性和稳定性、高同测的探针卡设计等方面。

在芯片成品测试方面，芯片成品测试一般是全模块全覆盖测试，其难点为：大电流项目的功耗控制、提高治具设计的热量冗余；减少高速测试项目的信号反射、保证信号完整性；射频测试项目设计的阻抗匹配、减少干扰；精确测量高精度测试项目等，上面都涉及到测试方法设计、治具设计、测试板设计、测试程序开发等方面的综合性技术。

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