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先进封装的种类细分图
4 小时前   浏览:27   来源:小萍子
先进封装是如何分类的呢?
如上图,是封装的种类细分图,我们一个一个术语来介绍。

No Substrate 无基板直接封装

是指在半导体封装中不使用传统的封装基板,作为芯片与外部电路之间的载体。而是直接在晶圆上构建互连结构,实现封装功能。
无基板封装的两大代表类型:WLCSP,Fan-Out。
WLCSP,晶圆级封装,在晶圆完成后直接在晶圆上进行封装和凸点形成
Fan-Out,将裸芯片嵌入环氧模料中,通过重新布线(RDL)把芯片的I/O扇出到模塑区域外,不用基板,但可以实现比WLCSP更高的I/O和更复杂的电路布线。
Organic Substrate(有机基板)

互连方式分为两种:

Wire-bond(线焊):使用金属线连接芯片和基板。

Wire-bond下的术语及其解释:
术语
含义
BGA(Ball Grid Array)
焊球阵列封装,线焊封装在底部形成球阵引出。
CSP(Chip Scale Package)
芯片尺寸级封装,封装体积 ≈ 晶粒尺寸。
COB(Chip on Board)
芯片直接粘到基板上并线焊,无封装体。
BOC(Board on Chip)
早期术语,类似COB,但强调基板在上方。
WB CSP(Wire-Bond CSP)
用线焊方式实现的CSP封装。
LGA(Land Grid Array)
类似BGA,但底部是无球的焊盘,靠弹性接触连接。


Flip-Chip(倒装):芯片翻转焊接在基板上。


术语
含义
FCBGA
Flip-Chip Ball Grid Array,即FC BGA
CSP
Flip-Chip CSP 封装
FC BGA
Flip-Chip Ball Grid Array,芯片倒装焊接,有机基板上布有球阵引出
FO on Substrate
Fan-Out on Substrate,扇出封装结合基板,适合高I/O与基板布线融合
2.5D
带TSV转换层(interposer)的多芯片封装结构,连接多Die,典型如HBM+逻辑
3D
堆叠封装(TSV或RDL),多个芯片垂直堆叠通信,提高集成度和带宽

Leadframe Substrate(金属框架)

术语
含义
QFN/QFP
无引脚/有引脚四边封装;常用于小型IC和MCU
SOIC
Small Outline IC,小外形封装,双列引脚
TSOP
Thin Small Outline Package,适用于闪存等薄型封装
LCC
Leadless Chip Carrier,无引脚但接触点在侧面
DIP
Dual In-line Package,老式双列直插封装
FC QFN (MIS)
Flip-Chip QFN 封装,内部为倒装互连,外形为QFN,常用于高频/高I/O产品

Ceramic Substrate(陶瓷基板)

术语
含义
Hi Rel
High Reliability,航天/军用封装,强调耐温、耐辐照、高可靠性
HTCC(High Temp. Co-fired Ceramic)
高温共烧陶瓷,适用于高功率封装(如雷达、功放)
LTCC(Low Temp. Co-fired Ceramic)
低温共烧陶瓷,常用于无线模块(如天线、滤波器)
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