在半导体芯片中,高压(通常指高于芯片供电电压的电压,如5V至数十伏)的生成是许多关键功能实现的基础。 电荷泵、电感Boost和开关电容等技术各有优劣,工程师需根据具体需求(电压等级、电流能力、工艺条件)选择最佳方案。
电荷泵是最经典的片上高压生成方案,其核心原理是通过电容和开关的周期性切换,逐级“泵送”电荷,实现电压倍增。
开关电容技术通过改变电容的连接方式(并联充电、串联放电)提升电压。例如,Cockcroft-Walton倍压电路利用多级电容和二极管的组合,将交流信号整流为高压直流。
传统的电感式Boost电路通过周期性开关电感和储能电容,将输入电压提升至更高等级。其核心公式为:
开关操作(尤其是电荷泵和Boost电路)会引入高频噪声和电压纹波,可能干扰敏感模拟电路。解决方法包括:
在负载变化时(如Flash存储器擦除阶段电流突增),需通过闭环反馈(如电压模/PWM控制)快速调整输出电压,避免过冲或跌落。
3.1 非易失性存储器(NVM)
Flash和EEPROM需要10-20V高压进行编程和擦除,电荷泵因其紧凑性成为首选方案。例如,智能手机的eMMC芯片内置多级电荷泵以支持高速写入。
3.2 显示驱动
OLED显示屏的像素驱动需15-20V偏置电压,电荷泵或Boost电路为每个像素提供精准电压控制。
3.3 MEMS传感器
微机电系统(如加速度计、陀螺仪)需要高压驱动静电执行器,开关电容转换器因低功耗特性被广泛采用。
3.4 射频(RF)前端
部分射频开关和功率放大器需高压供电,微型变压器耦合技术可满足高频隔离需求。