Question 1：请问各位大佬，imp后对Wafer表面造成损伤的形貌和OE的形貌怎么区分呢？

Answer：基础知识，imp全称是implant离子注入。离子注入的基本原理就是利用高能的离子束与晶圆中的原子发生相互作用，入射的离子逐渐损失能量，最终停留在晶圆中的某个位置，从而使晶圆片的局部区域具有相应的电学性能，并且通过离子注入掺杂可以很好的控制它的导电类型和导电能力。Wafer理解为晶圆。晶圆经过许多道工艺后，经过切割测试封装后，形成了一个个芯片。简单来说，根据芯片的类型，一个晶圆上有几百到几万个芯片。OE全称是Overetch过度刻蚀。指的是在刻蚀过程中，刻蚀时间过长导致刻蚀深度超过预期，从而在刻蚀后的图形上形成特定的形貌特性。这种形貌通常表现为图形边缘的过度刻蚀，导致线条宽度变宽，图形尺寸发生变化。下图为IMP典型缺陷。

IMP损伤形貌：在高分辨率显微镜下（如透射电子显微镜，TEM），可以看到晶体缺陷，像位错，堆垛层错等。这些缺陷是由于离子注入破坏了原有的晶格周期性。损伤区域的深度与注入离子的能量有关，一般较深，而且从表面到一定深度范围内损伤程度可能是逐渐变化的。下图可见为IMP导致的损伤。

OE形貌：主要观察光刻胶表面，其图案化形貌包括线条、孔洞等各种形状，线条的宽度、间距等尺寸与曝光工艺参数和掩膜版设计有关。光刻胶层下面的晶圆材料在正常OE过程中基本没有晶体结构层面的变化。下图可见各类刻蚀缺陷。