随着摩尔定律逐渐进入其发展轨迹的后半段，芯片产业越来越依赖先进的封装技术 来推动性能的飞跃。在封装技术由平面走向更高维度的2.5D和3D时，互联技术成为 关键中关键。面对3D封装日益增长的复杂性和性能要求，传统互联技术如引线键合、 倒装芯片键合等，正逐步显露其局限。尽管TSV通过热压键合等技术目前可以实现 高效的芯片堆叠互联，但由于每一层互连都要经历再布线，工艺复杂，界面数量过 多，分层失效发生的可能性较大，失效的概率会随着堆叠层数的增加而成倍增长， 在可靠性上限制了3D堆叠的层数。在这种背景下，混合键合技术以其革命性的互联 潜力，正成为行业的新宠。

混合键合主要有两种应用方式，W2W应用较为成熟，D2W前景更广。

第一种混合键 合方式是晶圆到晶圆（W2W，Wafer to Wafer），主要用于CIS和NAND产品。作为 异构集成的核心工艺，W2W混合键合已经在CMOS图像传感器和各种存储器、逻辑 技术方面获得良好的成功记录。铜-铜混合键合最早出现在2016年，当时索尼将这项 技术用于CMOS图像传感器，在堆叠的CMOS图像传感器的下部电路芯片和上部像 素芯片之间利用铜混合键合。

混合键合技术相比微凸点更具优势，有望成为下一代HBM键合工艺。与目前使用微 凸点连接TSV的技术相比，混合键合减少了层间物理连接的需求，使芯片设计更紧凑，有利于实现更高性能和密度。其次，混合键合还可减少芯片内部的机械应力，减 少信号传输距离，提高产品的整体可靠性，同时支持更高的数据传输速度和更低的 能耗。而第6代HBM（HBM 4）预计将于2026年左右量产，需要 垂直堆叠16个DRAM，这对于当前的封装技术来说具有挑战性，在未来HBM的I/O密 度不断提升以及层高数量需求不断增加的趋势下，混合键合工艺将更具应用前景。