电子发烧友网综合报道 近日，英特尔在电子元件技术大会上披露了EMIB-T（Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSV）技术。这是是英特尔在原有EMIB技术基础上引入硅通孔（TSV）的重大升级，旨在解决高性能计算、AI加速器和数据中心芯片的异构集成挑战。其核心是通过垂直互连提升封装密度和性能，同时降低功耗和延迟。传统EMIB利用嵌入在封装基板中的硅桥，实现多颗裸晶之间的高速互连。而EMIB-T在硅桥中引入TSV通孔结构，让信号能够垂直穿越桥接芯片本体，达成更高密度、更短路径的垂直互连 。简单来说，它把硅通孔技术融入到已有的嵌入式多芯片互连桥技术里，提升了芯片间连接的性能。EMIB-T支持UCIe-A协议，数据传输速率达32 Gb/s以上，相比英伟达的H100也要提升20%。同时TSV提供低电阻垂直供电路径，解决悬臂式供电的电压降问题，电源传输电阻减少30%，满足HBM4的高功耗需求。该技术还配套分解式散热器技术，减少25%热界面材料（TIM）空隙，支持微通道液冷，应对1000W TDP芯片功耗。而新型热压粘合工艺减少基板翘曲，可以提升大型封装的良率和可靠性。同时，EMIB-T可实现更大的芯片封装尺寸，达到120 x 180 mm，并在单个大型芯片封装中支持超过38个桥接器和超过12个矩形大小的裸片，提升了芯片集成度。还支持35μm的凸块间距，25μm间距也在开发之中，远胜于初代EMIB的55μm和第二代 EMIB的45μm，且兼容有机或玻璃基板，其中玻璃基板是英特尔未来芯片封装业务的关键战略方向，为芯片设计提供了更多选择和可能。该技术预计在2025年下半年量产，客户包括AWS、思科及美国政府项目，Cadence、西门子EDA等已推出协同设计流程，加速产品落地。伴随着TSV 结构的引入，使得硅材料在垂直互连方面的性能要求提高。需要硅材料具备更高的纯度和质量，以保障信号传输的稳定性和可靠性，降低信号损耗。同时，在制造TSV过程中，对硅的加工工艺精度要求更严格，如刻蚀、填充等工艺都需要更先进的技术来满足EMIB-T的需求。由于EMIB-T兼容有机或玻璃基板，玻璃基板将成为关键战略方向，这将推动玻璃基板材料的研发和生产，推动玻璃基板供应链的发展，如日本电气硝子、康宁等。玻璃基板在绝缘性、平整度等方面有独特优势，有望替代部分传统有机基板。这会促使材料厂商加大对玻璃基板材料的研究投入，开发出更适合EMIB-T技术的玻璃基板产品，提升其在半导体封装领域的应用比例。此外，随着芯片集成度提高和性能增强，产生的热量增多，对热管理材料提出更高要求。配合全新的分解式散热器技术，需要热界面材料（TIM）具备更好的散热性能和更低的热阻，能够更有效地将芯片产生的热量传递出去，减少 TIM 耦合焊料中的空隙，提高散热效率，以保障芯片在高温环境下稳定运行。EMIB-T不仅是英特尔对标台积电CoWoS的技术反击，更通过三维垂直互连、超大封装尺寸和材料革新，为AI芯片、Chiplet生态提供高性价比解决方案。随着2025年量产落地，EMIB-T或成为异构集成的新标准，重构高性能计算芯片的竞争格局。
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