掺杂多晶硅具有与晶圆硅的良好欧姆接触，并且可以被氧化形成绝缘层。多晶硅氧化物的质量低于在单晶硅上生长的热氧化物，因为多晶硅表面粗糙，导致生长的氧化物不均匀。

尽管多晶硅与硅的接触电阻较低，但它与其他用于导电引线的金属材料之间的电阻仍然过高。这一问题通过创建多晶硅和硅化物（如钛硅化物）的多金属堆叠来解决。这些被称为多晶硅硅化物结构。

低压化学气相沉积（LPCVD）的进步为金属沉积提供了第三种选择。LPCVD的优点是不需要昂贵且维护密集的高真空泵，具有良好的共形阶梯覆盖，并且生产率高。也许最常沉积的CVD难熔金属膜是钨（W）。

钨被用于多种结构，包括接触阻挡层、MOS栅互连和通孔插头。填充通孔是有效多金属系统的关键。介质层相对较厚，而通孔必须相对较窄（高纵横比）。这两个因素使得在填充通孔时金属连续沉积变得困难，而不会导致通孔中的金属变薄。选择性化学气相沉积钨插头可以完全填充整个通孔，并为后续的导电金属层创建一个平面表面。作为阻挡金属使用时，钨可以通过硅还原六氟化钨（WF₆）气体来选择性沉积，反应如下：

钨也可以通过氢还原从WF₆选择性沉积在铝和其他材料上。这些过程被称为衬底还原。所有沉积过程都在约300℃的LPCVD系统中进行，这使得这些过程与铝金属化兼容。

 MOS栅和电容器电极：大多数电气设备依赖电流通过来运行。电容器是一个例外。这些设备需要两个导电层，称为电极，它们被一层介质分隔。在大多数设计中，上电极是导体金属系统的一部分。MOS晶体管是一种电容器结构，上电极，称为栅极，是MOS电路中的一个关键结构。

背面金属化：有时会在整个晶圆背面溅射沉积一层金属，用于封装过程。该金属作为热互连层或在某些封装过程中用于键合。使用的金属包括金、铂、钛和铜。