一、小芯片封装导电胶失效问题分析

1.1 支架脱层  

   (A) 焊盘载带脱层现象  

    在SOP8双基岛ASM支架应用中，ZUIDA EP5700、外来样A及外来样B导电胶均出现脱层问题。  

   (B) 应力机制解析  

     塑封料（EMC）的热膨胀系数（CTE）及玻璃转化温度（Tg）是QFN/E-PAD QFP封装可靠性的核心因素。  

       EMC在封装中体积占比最大，其CTE与Tg直接影响热应力：  

         优选方案： Tg > 125°C且低CTE的EMC材料，可减少-55°C ~ 125°C温度循环（TCT）中CTE剧变。  

           风险方案： Tg < 125°C的EMC易因CTE突变产生高应力。  

       导电胶（银胶）特性影响：  

           Tg通常<125°C，CTE显著高于芯片、EMC及引线框架（LF）。  

           因银胶厚度仅10~20μm，在封装中尺寸占比极低，其热形变远小于EMC。  

       失效主因： LF、EMC与芯片间CTE失配导致的推挤/弯曲应力，是破坏封装结构的主驱动力。  

   (C) 解决路径  

       小芯片封装无法通过选用低储存模数银胶吸收应力（芯片面积小、接着力弱，易导致打线晃动或飞晶）。  

       银胶需与EMC的Tg匹配以降低应力：ZUIDA EP5841导电胶经DMA测试Tg达196°C，与EMC实现良好匹配。  

1.2 高温粘结力弱化  

 (A) 外来样导电胶：300℃下推力均值300g（芯片尺寸0.5mm×0.5mm）。  

  (B) ZUIDA EP5700：300℃下推力均值600g，高温粘结性能显著优于外来样。  

1.3 贴片键合层厚度不足  

  (A) 外来样导电胶：键合层厚度分布为5.0μm、4.50μm、<1μm、<1μm，存在严重厚度不足。  

  (B) ZUIDA EP5700：可稳定建立>25μm、>20μm、>15μm、>10μm的键合层，厚度可靠性高。  

1.4 导通电阻率差  

   (A) 外来样导电胶：含银量低、树脂层厚，银粉分散不均，导致导电性下降。  

   (B) ZUIDA EP5700：银粉分布均匀，保障稳定导电性能。  

二、大芯片封装导电胶失效问题分析

大芯片封装中，导电胶需同时承担固定芯片与吸收CTE失配应力的双重角色。其粘结强度与储存模数（Modulus）是可靠性的关键：储存模数随温度变化过大会削弱应力吸收能力，导致脱层。因此，低模数变化率是提升QFN/E-PAD QFP等大尺寸产品可靠性的核心要素。

2.1 导电胶抗应力能力不足  

   (A) 失效机制：弹性模数是标识材料刚性/柔性及应力吸收能力的关键指标。银胶抗应力不足时，塑封后易在芯片下方引发分层（见典型图示）。  

   (B) 外来样残胶问题（镀铜支架Peeling测试）：  

       框架表面：残胶严重  

       芯片背面：残胶明显  

   (C) ZUIDA EP5700残胶控制（镀铜支架Peeling测试）：  

       框架表面：残胶极少  

       芯片背面：残胶极少  

2.2 导电胶抗高温高湿能力不足  

   (A) MSL测试流程（Cu/Ag基材）  

   (B) MSL测试结果对比：  

       外来样导电胶：在QFN4x4 Cu引线框架封装上失效。  

       ZUIDA EP5700：通过QFN4x4 Cu/Ag引线框架封装MSL测试。  

关键结论  

1.  小芯片封装：银胶与EMC的Tg匹配是抑制应力的关键；ZUIDA EP5841（Tg=196°C）及EP5700（高温粘结力、键合厚度、导电性）表现优异。  

2.  大芯片封装：银胶需具备低储存模数变化率以有效吸收应力；ZUIDA EP5700在抗分层、残胶控制及MSL可靠性方面显著优于竞品。  

材料选型建议：针对不同芯片尺寸与封装结构，需精准匹配导电胶的Tg、模数特性及工艺参数，以规避脱层、高温失效、导电异常等风险。