Back Grind（背面研磨，也称晶圆减薄）是半导体制造中连接芯片前道制造和后道封装的关键工艺步骤，其核心是通过机械研磨将晶圆背面削薄至目标厚度，以满足封装小型化、散热及堆叠集成等需求。

⚙️ 1. 定义与目的

• 工艺本质：在晶圆完成电路制造后、切割前，对其背面进行研磨减薄。原始晶圆厚度通常为700–800微米（μm），经Back Grind后可降至100–300 μm（常规应用），甚至20–50 μm（高端堆叠封装）。
  
• 核心目的：
• 小型化：减少芯片厚度，适应手机、IC卡等轻薄终端设备的需求。
• 提升集成度：薄晶圆便于多层堆叠（如3D封装），实现高密度集成（例如16–32层堆叠）。
• 优化性能：降低电阻与功耗，增强热传导效率。

???? 2. 工艺流程

Back Grind通常分为三步，需配合辅助工艺保障良率：

• 贴保护膜（Tape Lamination）
  在晶圆正面粘贴紫外线（UV）胶带或凸块膜（Bump Film），防止研磨污染及机械损伤，并减少翘曲破裂风险。
• 研磨阶段
• 粗磨（Coarse Grinding）：用粗颗粒砂轮快速去除大部分厚度（如800 μm → 300 μm），但会形成表面应力层。
• 细磨（Fine Grinding）：使用精细砂轮进一步减薄至目标厚度，并消除粗磨损伤层。
• 抛光（Polishing，可选）：对超薄晶圆（<50 μm）采用化学机械抛光（CMP），提升表面平整度。
• 清洗与后续处理
  用去离子水（DI水）和表面活性剂清除硅粉残留，防止污染；
  去胶（De-Lamination）：完成后移除保护膜，进入切割（Dicing）和封装阶段。
  

⚠️ 3. 关键参数与挑战

• 精度控制：需严格调控研磨头转速、进给速度、冷却液温度/流量等，确保厚度均匀性（公差±10 μm）。
• 主要风险：
• 破片/隐裂：薄晶圆脆性高，研磨压力不均或温度波动易导致破裂。
• 翘曲（Warpage）：应力不均使晶圆变形，影响后续贴膜与切割。
• 污染：硅粉残留可能降低封装良率。
• 特殊工艺：对超薄晶圆（≤50 μm），采用 先划片后减薄（DBG，Dicing Before Grinding） 工艺：先半切割晶圆，再研磨，避免切割时碎裂。