光刻胶作为半导体制造中的核心材料，直接影响芯片的制程精度和良率。其性能决定了芯片制造中图案转移的分辨率和精度，是半导体制造中不可或缺的关键环节。随着芯片制程的不断缩小，对光刻胶的分辨率和灵敏度要求也越来越高。

不同光刻胶的用途与技术特点

1. g/i线光刻胶

用途：适用于436nm和365nm波长光源，主要用于500nm以上尺寸的光刻，广泛应用于汽车电子、MEMS、平板等领域。

技术特点：采用传统酚醛树脂重氮萘醌体系，分辨率较低，适合成熟制程。

2. KrF光刻胶

用途：适用于248nm波长光源，主要用于350nm以下的制程，广泛应用于3D NAND堆叠架构和中端芯片制造。

技术特点：采用化学放大技术，分辨率较高，适合深紫外光刻工艺。

3. ArF光刻胶

用途：适用于193nm波长光源，主要用于45nm到7nm的制程，广泛应用于高端逻辑芯片和存储芯片。

技术特点：分为干式和浸没式，浸没式ArF光刻胶通过多重曝光可实现7nm制程。

4. EUV光刻胶

用途：适用于13.5nm波长光源，用于7nm及以下的先进制程，如5nm、3nm等。

技术特点：采用极紫外光作为曝光光源，分辨率极高，但技术门槛极高，仍处于研发阶段。

国内技术进展与替代预期进程

1. g/i线光刻胶

国内进展：技术成熟，已逐步形成产能，国产化率约为20%。

替代预期：由于技术门槛较低，国产替代进程较快，预计未来几年将进一步提升自给率。

2. KrF光刻胶

国内进展：部分企业如湖北鼎龙、晶瑞电材已实现批量供货，国产化率不足5%。

替代预期：随着技术突破和市场需求增长，预计未来35年内国产化率将显著提升。

3. ArF光刻胶

国内进展：南大光电、上海新阳等企业已通过客户验证，但量产规模有限，国产化率不足1%。

替代预期：由于技术复杂，替代进程较慢，但随着多重曝光技术的应用，需求量将大幅增长，预计未来58年逐步实现国产替代。

4. EUV光刻胶

国内进展：仍处于研发阶段，尚未实现量产。

替代预期：技术门槛极高，短期内难以实现国产替代，但随着国内研发投入增加，有望在未来10年内取得突破。

我国光刻胶产业在g/i线胶和KrF胶方面已取得一定进展，但ArF胶和EUV胶仍面临较大技术挑战。未来，随着政策支持和市场需求增长，国内企业有望逐步缩小与国际先进水平的差距，推动国产替代进程。