(EUV)

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增粘处理：硅片会被暴露于六甲基二硅烷（HMDS）气体中，这种气体可以使硅片表面脱水并形成一层疏水性的表面，从而提高光刻胶的附着力。

采用旋转涂胶法，将光刻胶滴在硅片中心，随着硅片的缓慢旋转，光刻胶会被均匀涂抹，并达到稳定的厚度。

硅片边缘通常需要倒角处理，以避免光刻胶在边缘堆积。

前烘

涂抹好光刻胶的硅片会放置在专门的烘箱中进行前烘处理，以加速光刻胶的固化，使其变得更加坚固，同时提高光刻胶与硅片之间的粘附力。

对准与曝光

对准：光掩膜和硅片工件台需要进行精密对准和平整调整。

曝光：光源开始发光，通过移动工件台的方式，确保硅片上的每个区域都能得到精确的曝光。硅片会被装载到光刻机中进行对准和曝光。

后烘

后烘是为了确保光刻胶中的光化学反应能够充分完成。通过加热，可以弥补曝光强度不足的问题，确保图案转移的质量。

刻蚀

通过一定的腐蚀溶液的腐蚀，覆盖光刻胶的地方没有被腐蚀，没覆盖光刻胶的地方被腐蚀。

然后用溶剂把多余的光刻胶洗掉，这样芯片就会形成三维的电路结构。