在半导体制造中，尘埃颗粒的尺寸危害性直接关联于芯片特征尺寸的微型化进程。

当前最先进制程的特征尺寸已突破10nm阈值，此时任何尺寸超过设计尺寸1/10的尘埃均可能引发致命缺陷。例如，10nm特征尺寸下，1nm以上的颗粒即可导致线宽缩窄、断线或线间短路，这类颗粒被称为“杀手尘埃”。

这种微米级甚至纳米级的污染风险，促使无尘室过滤系统必须达到极致精度：ULPA过滤器对0.15μm颗粒的捕获效率需达99.9995%，而HEPA过滤器通过玻璃纤维滤材的深层过滤机制，可拦截99.97%以上的0.3μm颗粒，确保香烟烟雾、黄沙、花粉等常见污染物被提前滤除，避免其直接污染晶圆或导致过滤器堵塞。

尘埃的危害不仅限于物理缺陷，更可能引发电学性能衰减。

例如，亚10nm颗粒嵌入氧化层或金属布线间，会形成局部电场集中，导致漏电流增加或击穿电压下降；而有机尘埃在高温工艺中可能分解产生碳氢化合物，污染腔室并引发批量性良率损失。为此，无尘室需采用多级过滤体系：初效过滤器拦截大颗粒，中效过滤器减少中值粒径颗粒，高效/超高效过滤器则确保关键工艺区的纳米级洁净度。

近年来，过滤技术正朝着更高效、更智能的方向演进。纳米纤维滤材通过静电纺丝工艺形成三维网络，可捕获5nm以上颗粒，同时降低压差以延长滤网寿命；智能压差监测系统则通过实时反馈调节风量，避免过滤器过载堵塞。此外，尘埃颗粒追踪系统通过激光散射与图像识别技术，可实现0.1μm级颗粒的定位与溯源，将污染排查效率提升50%以上。

这些创新不仅保障了先进制程的可靠性，更支撑着半导体行业向3nm以下制程的持续突破，确保“杀手尘埃”始终处于可控范围，维护着芯片制造的精密性与良率稳定性。