临时键合/解键合

目的是在器件加工中提供临时支撑，在后续可以去除，常用于超薄晶圆处理。

使用临时胶或中间支撑晶圆（Carrier）将薄晶圆粘接，完成后通过热/激光/化学方法解键合。

永久键合：根据是否存在中间层分为以下两类：

一、没有中间层的直接键合

1. 融焊键合 / 直接或分子键合

原理：通过表面平整度与亲水处理，使两片晶圆表面发生范德华力结合，后续热退火促进成键。

特点：无中间材料，结合强度高。

应用：SOI晶圆制造、MEMS、Si-Si或SiO₂-SiO₂键合。

2. 铜-铜/氧化物混合键合（Hybrid Bonding）

原理：铜与铜原子间直接键合，同时表面有SiO₂等介质层辅助对准。

特点：适用于高密度3D封装、混合信号IC。

应用：先进封装如TSV、HBM、Hybrid Bonding的逻辑-内存集成。

3. 阳极键合

原理：在高温（~300°C）和高电场下，使玻璃与硅间形成静电吸引并发生离子迁移。

特点：结合牢固，适合玻璃-Si。

应用：MEMS器件、压力传感器封装。

二、有中间层的间接键合

（1）绝缘中间层

a. 玻璃浆料键合

原理：使用低熔点玻璃糊在加热条件下熔融流动形成结合。

应用：显示面板、MEMS。

b. 胶键合

原理：利用环氧树脂、BCB等有机胶水形成结合。

特点：对表面平整度要求低，低温工艺。

应用：晶圆级封装、临时键合。

c. 共晶键合

原理：利用金属共晶点（如Au-Sn）的低熔点形成键合。

应用：MEMS封装、光电器件。

（2）金属中间层

a. 回流焊

原理：利用Sn等焊料加热后回流，与焊盘形成结合。

应用：晶圆级封装（WLP）、微凸点接合（micro-bump）。

b. 金属热压键合

原理：在高温+高压下使金属层（如Cu）形成结合。

特点：用于高密度封装，常见于TCB工艺。

应用：HBM堆叠、COWOS、FO-WLP等。

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