Al干法刻蚀在实际工艺中存在以下问题需要注意：

1.氧化层的影响

Al₂O₃是刻蚀的主要障碍，预处理阶段需彻底去除：若氧化层残留，会导致刻蚀速率下降、图形边缘出现 “底切”（undercut）或 “残留岛”。可通过延长BCl₃预处理时间（10-30秒）或提高Ar比例增强溅射来解决。

2.各向异性控制

侧向刻蚀会导致图形线宽偏差，需通过以下方式抑制：

•提高射频功率，增强离子轰击的方向性；

• 增加BCl₃比例，BCl₃分解产生的聚合物可保护侧壁，减少侧向刻蚀；

• 降低腔室压力，减少离子散射，增强方向性。

3. 掩模兼容性

常用光刻胶作为掩模，需避免其被过度刻蚀：Cl₂等离子体对光刻胶有一定刻蚀作用，可通过增加BCl₃比例或降低 Cl₂浓度来提高掩模选择性，Al刻蚀速率/光刻胶刻蚀速率> 5:1。

4. 残留物与污染

• AlCl₃在低温下易凝结，如腔室壁或样品表面，形成白色残留物，需通过加热样品台（80-120℃）或通入O₂等离子体（Post-O₂ Ash）清除。

• 刻蚀后需立即用去离子水或稀HF清洗，避免残留 Cl⁻离子导致 Al 后续腐蚀。

5. 衬底保护

若衬底为Si或SiO₂，需控制过刻蚀时间：Cl₂对Si的刻蚀速率较低，约为Al的1/10，但SiO₂易被BCl₃刻蚀，需通过降低BCl₃比例或缩短过刻蚀时间避免衬底损伤。出现长草是因为Al刻蚀副产物氯化铝、碳氟聚合物未完全挥发或再沉积，在表面形成微米/纳米级柱状残留物。凹坑是表面残留物阻挡刻蚀，形成局部凹坑，提高BCl₃比例，增强聚合物清除能力，但避免过量（建议Cl₂:BCl₃ = 1:1~1:3）有利于去除长草和凹坑，同时缩短过刻蚀时间，通常占总刻蚀时间的10~20%。

6. 安全性

Cl₂和BCl₃均为有毒气体（Cl₂刺激性强，BCl₃遇水生成 HCl），需确保排气系统通畅，操作人员佩戴防护装备。

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