光刻的核心课题是CD 控制（线宽精度），以下为 2003-2009 年的关键指标要求。2009 年 MPU 栅极线宽波动需≤1.8nm（3σ），LER（线边缘粗糙度）与 LWR（线宽粗糙度）需降低。

    ArF浸没式光刻：利用液体（如水，n=1.44）作为介质，NA=n・sinθ，有效波长 λ/n 缩短，同时提升分辨率（Resolution=k₁・λ/NA）和焦深（DOF=k₂・λ/NA²）。NA=1.0 时可实现 65nm L/S，NA=1.2 结合偏光照明可达 45nm L/S；与现有 ArF 技术兼容性高，成本低于 NGL。关键课题：液体供给与回收、气泡控制、温度管理、高 NA 镜头制造、偏振效应优化等。

    EUVL 的关键挑战包括：① 光源：功率需达 100W，现状仅 10-20W，影响生产效率；② 光学系统：90% 的 EUV 光被镜片吸收转化为热，需解决热稳定性；③ 化学污染：需严格控制环境，防止光学系统污染；④ 成本：设备与掩模成本高昂，投资回报率低。

    需突破的瓶颈包括：① 计量技术：实现 7nm 线宽、7.2nm 叠加精度的高速度测量；② 光刻胶：降低 LER/LWR（线边缘 / 线宽粗糙度），减少酸扩散导致的线宽波动；③ 掩模：提升 CD 均匀性（3σ 需达 5-10nm），降低缺陷尺寸（≤3nm）；④ 工艺控制：优化曝光、烘焙等步骤，减少温度、剂量波动对 CD 的影响。