在芯片制造的最后环节，裸片（Die）需要穿上“防护铠甲”——既要抵抗物理损伤和化学腐蚀，又要连接外部电路，还要解决散热问题。封装工艺的进化核心，是如何更高效地将硅片转化为功能芯片。

一、传统封装：先切割，后穿衣

核心流程：Wafer → Dicing → Packaging

1. 晶圆切割（Dicing）

   用金刚石刀片或激光将晶圆切成独立裸片

2. 芯片粘接（Die Attach）

   银胶或DAF薄膜（Die Attach Film）将裸片固定在基板

3. 互联工艺

   金线键合（Wire Bonding）：用25μm金线（比头发细1/3）连接芯片焊盘与基板

4. 模塑封装（Molding）

   环氧树脂模塑料（EMC）注入模具，高温固化形成保护壳；
   

晶圆级封装（WLP）：先穿衣，后切割

核心流程：Wafer → Packaging → Dicing

1. 晶圆级加工

   重布线层（RDL）：在整片晶圆上光刻出铜导线，重新排布焊盘位置

   植球（Solder Bumping）：通过电镀在焊盘上制作锡球或铜柱凸块

2. 整片封装

   整片晶圆涂覆保护层（PI/BCB介电材料）；部分工艺增加硅通孔（TSV）实现3D堆叠

3. 切割分离

   完成所有封装步骤后切割晶圆，单片芯片直接可用

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