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为什么先进封装离不开电镀？

8 小时前浏览：72 来源：小萍子

本文主要讲述先进封装中的电镀技术。

先进封装里的常见结构？

结构名称	英文缩写	说明	应用场景
硅通孔	TSV（Through-Silicon Via）	在硅中开孔并填铜，垂直连接上下芯片	3D堆叠、HBM、高性能计算
玻璃通孔	TGV（Through-Glass Via）	类似TSV，但基材为玻璃	高频RF、SiP、载板替代
铜柱凸块	Cu Pillar	用于芯片与基板间的细pitch互连，电镀铜+Sn帽	Flip Chip、FCBGA
重布线层	RDL（Redistribution Layer）	重新布局芯片I/O，通常多层金属	Fan-Out、InFO、2.5D封装
金凸块	Au Bump	用于金线焊接或TCB键合	高可靠性封装、光电芯片
微凸点	µBump	细pitch凸点（<30μm），实现die间连接	2.5D、3D-IC、HBM、Chiplet
锡球	solder ball	用于焊接基板	几乎所有芯片产品封装都用得到

上表中结构基本是先进封装工艺的“灵魂”。

为什么要用电镀而不用其他的金属化手段？

Copper pillar electroplating tutorial

以上图为例，先进封装中的结构的高度至少要在几微米到数百位米。

只有电镀的镀速可以满足，1ASD的电流密度，铜的电镀速率为：0.2um/min。

一般电流密度可以在1-15ASD范围内调节，因此镀速可以达到惊人3um/min。这是一般的PVD，CVD所达不到的。

END

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